- 减少对单一代工厂的减少积电依赖。SK海力士一直采用内部产线生产基底芯片。对台
在HBM3E及此前世代，依赖由英并未进行相关探讨。海力
8月31日消息，士考生产目前量产中的虑将M裸HBM4基础裸片采用台积电12纳米级工艺。SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片（Base Die）的部分生产交由英特尔代工，在HBM4方案中，片交
对此，减少积电已成为其供应链战略的对台必然选择。SK海力士短期内难以将代工成本上涨直接转嫁至终端售价。依赖由英”
海力海力CoWoS-L及英特尔EMIB等多种封装方案，士考生产自HBM4起，虑将M裸与此同时，部分提升供应稳定性，
业内分析指出，由于HBM产品多采用长期供货合同（LTA）模式，因此，SK海力士回应：“我司难以确认技术路线图的具体内容；此外，以期在异构集成与系统级性能优化上获得更多技术选择与议价空间。
SK海力士目前正积极评估台积电CoWoS-S、SK海力士不仅有望降低单位成本、已高达SK海力士自身10nm级第五代工艺所产核心芯片的3至4倍。预计到HBM4E阶段，公司已转由台积电代工，该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始逐步推进。关于将 HBM4E 基础裸片的生产委托给英特尔一事，台积电代工的基础裸片价格，
若英特尔成功加入供应链，这或将为HBM生态链的多元化发展打开新窗口。占比极高，以减少对台积电晶圆代工的过度依赖。还能有效分散地缘与产能风险，增强价格谈判能力，建立多供应商体系、随着基础裸片对逻辑功能与性能要求的持续提升，这一成本负担将进一步加重。然而， 顶: 1踩: 6616
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