捅破AI存储天花板！闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存：1Tb容量+4.8Gb/s

较BiCS8提升了33%。捅破天花其中数据中心领域增速达46%。存储出层BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、板闪

技术层面，迪铠

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，侠联

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的手推闪存两大核心工艺。第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。容量

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，捅破天花采用332层堆叠设计。存储出层输出功耗降低34%。板闪再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。迪铠位密度提升59%，侠联目前没有公布具体的手推闪存单颗售价。BiCS10的容量NAND接口速度达到4.8Gb/s，写入能效提升18%，捅破天花通过优化存储单元的排列布局来提升密度。

其二是间距选择栅极漏极技术，SCA协议及PI-LTT低功耗技术。

性能方面，将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，

能效表现方面，输入功耗较BiCS8降低10%，读取能效提升30%。其一是CMOS直接键合到阵列技术，为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。

7月3日消息，首款产品为1Tb TLC型号，该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，闪迪与铠侠联合宣布，